蘇州能訊高能半導體有限公司
中國氮化鎵電子材料與器件產業的先行者
蘇州能訊高能半導體有限公司是由獲得中國第一批“千人計劃”支持的海外歸國人員創辦的高新技術企業。公司創立于2007年,目前注冊資本為2.79億元,公司總部位于江蘇省蘇州市昆山國家高新區晨豐路18號,并在西安、南京設立了研發中心。公司在蘇州市昆山高新區建設了中國第一家氮化鎵電子材料與器件工廠,該工廠占地55畝,第一期投資為3.8億元,建筑面積1.3萬平方米,設計產能為年產3寸氮化鎵晶圓6000片,其技術力量和生產規模位于國際前列。
能訊半導體采用了整合設計與制造(IDM)的商業模式,率先在中國開展了第三代半導體氮化鎵高能效功率半導體材料與器件的研發與產業化,其產品應用涵括了射頻電子和電力電子兩大領域。公司的微波器件具有高電壓、高功率、耐高溫、寬頻及高增益特點,在無線通訊、雷達和寬頻帶通信等領域有著巨大的應用前景。公司的電力電子器件產品具有高效率、高速度、高結溫的特點,在工業控制、電源、電動汽車以及太陽能逆變器領域應用廣泛,能夠有效降低電能轉換系統損耗50%以上,同時成倍地減小設備體積,減少銅等貴重原材料消耗,其耐高溫的特性也為節約重量、減少體積,特別適用于環境惡劣的場合。
能訊公司是國際上為數不多的能夠實現材料、工藝、器件整合的氮化鎵電子器件公司。在中國一直是產業的先行者,曾經在2009年生產出第一個2000V高壓開關功率器件產品,并在2010年完成了中國第一個通訊基站用120W氮化鎵功放芯片的開發,2014年全球發布業界領先的量產氮化鎵射頻微波器件。能訊公司保持了產品與技術與國際先進水平的同步。同時利用本土優勢,能訊公司能及時響應國內廠商的需求,迅速開發出有針對性的產品。并且幫助客戶加強對器件更深的理解,有助于客戶深挖器件潛力,開發出更有競爭力的設備產品。
能訊半導體自主開發了氮化鎵材料生長、器件設計、制造工藝、封裝與可靠性技術,已擁有41項中國發明專利和14項國際發明專利,其技術水平和產品指標均已達到國際先進水平。能訊的核心團隊有著豐富的海外從業經驗,在國際氮化鎵技術領域享有盛譽,目前仍保持著眾多氮化鎵技術的世界紀錄。公司有員工170余人,50%以上擁有本科學歷,其中包括海外歸國博士7名、碩士40余名。公司先后承擔了國家“核高基”重大專項、科技部863重大項目、中小企業創新基金以及江蘇省重大科技成果轉化項目等等省市級重大科技產業項目。公司榮獲了由中國半導體行業協會等三家行業協會與主流媒體評選的“第八屆(2013年度)中國半導體創新產品與技術”大獎。
在保持技術領先的同時,能訊半導體還將利用本土優勢,建立及時響應、深度協助、提升競爭力的客戶服務標準,竭誠服務客戶。
能訊以成為國際領先的高能半導體供應商為使命。
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2014年
3月中國電力電子產業網訊:日前,國內首家商用氮化鎵(GaN)電子器件生產企業,蘇州能訊高能半導體有限公司(Dynax Semiconductor Inc.)發布了新型氮化鎵微波功放晶體管產品。這款產品將助力通訊系統設備制造商,針對當下熱門的LTE移動通訊市場,提出更高效、更具性價比的解決方案。 與以往的LDMOS和GaAs相比,GaN功放管在功率密度、工作帶寬和效率方面具有無與倫比的優勢。這也使得GaN在移動互聯網、衛星通訊、有線電視等等領域有著良好的市場前景,被業界認為是射頻功率器件的未來。 能訊半導體總裁張乃千博士指出:“公司一直致力GaN微波功放晶體管的研發與制造,我們相信GaN功放管的寬頻帶、高線性度和高效率等優異特性,能夠為客戶帶來價值?!蹦苡嵃雽w本次推出的這款產品為DX1H2527150F內匹配微波晶體管,其工作頻率范圍為2.5—2.7GHz,供電電壓為48V,飽和功率為200瓦。在WCDMA(帶DPD)測試條件下,其輸出功率達40W,ACLR小于-50dBc,效率高達33%。 該款產品是針對4G移動通訊的LTE基站應用而量身打造的,擁有杰出的線性度、效率和
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2013年
8月公司量產產品達標
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2013年
4月能訊FAB完成量產通線
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2012年
10月蘇州昆山第一規模工廠建成
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2009年
6月生產出第一個2000V高壓開關功率器件產品
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2006年
9月中國第一家第三代半導體氮化鎵功率器件制造商
- 消費電子,汽車電子,工業控制
- 有晶圓半導體公司(IDM)
- 100-200人
- 蘇州

張乃千
總裁
張乃千,男,清華大學電子工程學士學位,微波專業,加州大學電子與計算機工程博士學位,半導體專業,是世界上最早研究氮化鎵(GaN)電子器件的人員之一,是美國電子工程師協會(IEEE)會員,及其核心雜志IEEE EDL的審稿人。
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